上海晶技電子材料有限公司對我公司LT-100C壽命儀與匈牙利SemilabWT-1000的測試對比
發布時間:2010-3-4
太陽能產業的發展,從開始規模生產到現在有六、七個年頭,從無序生產逐步過渡到有序生產,產品也逐步標準化。國家也組織各行業的企業參加研究和制定我國硅材料、太陽能電池、組件等產品標準。這些都是太陽能產業健康生產和發展的需要和保證。但是在制定這些產品標準同時,必須有相應的測試標準和測試手段來衡量和保證,才能實現產品標準的應用。作為太陽能電池的硅材料來講,其和半導體硅材料有相同點,也有所不同之處。主要是其參數要求不一樣,這就給硅材料測試帶來新的課題。對測試儀器要求也不一樣。太陽能電池的研究已有幾十年歷史,但太陽能產業是新的產業,其大規模生產時間不長,所以一些產品的標準還需要重新制定和修改完善。要結合企業實際生產和使用情況加以完善。
僅從太陽能產業的硅材料來說,全國正組織對硅多晶、硅單晶、鑄錠硅多晶、單晶硅片、鑄錠多晶硅片的標準進行研討和制定工作。可以說這些材料標準在研討和制定過程中遇到許多新問題。
例如在研究和制定硅單晶標準時,各企業反映,目前使用的少子壽命儀,對單晶少子壽命測試存在著一些問題。一是操作復雜,二是準確性差,三是浪費大,四是復檢難。沒有半導體硅材料那樣(因為半導體硅材料是高壽命材料)目前大多數生產太陽能硅材料廠家都使用匈牙利的WT-1000b型的測試儀,其要求是2mm 厚拋光片,鈍化測試。這也是符合國際上標準的,但要生產單位每根都要做拋光和鈍化測試,不但操作繁瑣,而且操作嚴謹,不一定能達到拋光和鈍化的要求,測出結果不一定代表體壽命相互之間誤差較大。并且浪費很大產品復檢很難。在這種情況下,就考慮太陽能硅材料少子壽命測試操作要簡便又基本能代表體壽命。因此,廣州市昆德科技有限公司就研制出LT-100C數字式硅單晶少子壽命儀。為了驗證進行了對比測試試驗。
一、太陽能級硅單晶少子壽命對比測試儀器:使用廣州市昆德科技有限公司生產的LT-100C數字式硅單晶少子壽命儀和SemilabWT-1000b少子壽命儀,
二、太陽能級硅單晶少子壽命對比測試樣品:直拉太陽能級硅單晶棒,長度:100mm電阻率:1-3Ωcm,型號:P型,直拉:Φ150mm
三、太陽能級硅單晶少子壽命對比測試要求:
⑴樣品測試點位置要固定,
⑵樣品測試面位置要固定,
⑶硅片和棒測試面,點都相同。
四、對比測試步驟:
⑴先用廣州昆德生產的LT-100C數字式硅單晶少子壽命測試儀測單晶棒二個切削斷面少子壽命,測試點為四條棱線位置,離邊緣10mm處各一點,中心位置一點,一個斷面共測五點。見表一
⑵再用匈牙利的WT-1000b型的測試儀在上述測試相同測試面上相同測試點上測試,也是測五點。見表二
⑶將單晶棒兩端各切一片,厚度為2mm,
⑷用WT-1000b在所切下二硅片上,在以上測試的相同測試面,相同測試點上進行測試。見表三
⑸將二硅片進行化學拋光,
⑹在二片硅片拋光后,用WT-1000b在上述測試相同的測試面和相同的測試點上進行測試。見表四
⑺用WT-1000b在二片拋光硅片在碘酒中鈍化測試,也是在上述測試相同的測試面、相同的測試點上進行測試。見表五
⑻把拋光片鈍化洗干凈,用WT-1000b在上述測試的相同測試面、相同測試點上測試。見表六
五、測試結果
表一
我公司LT-100C 單晶錠
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5(中心)
|
頭
|
13
|
15
|
15
|
17
|
12
|
尾
|
20
|
18
|
17
|
16
|
15
|
表二
WT-1000b單晶錠
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5(中心)
|
頭
|
3.79
|
3.45
|
3.54
|
3.43
|
3.51
|
尾
|
3.77
|
3.41
|
3.56
|
4.08
|
4.00
|
表三
WT-1000b 單晶切片后測片
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5(中心)
|
頭
|
3.86
|
3.68
|
3.46
|
3.23
|
3.39
|
尾
|
4.09
|
4.09
|
3.87
|
4.16
|
3.75
|
表四
WT-1000b 拋光后測片
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5(中心)
|
頭
|
4.61
|
4.53
|
5.19
|
4.71
|
9.09
|
尾
|
10.24
|
4.56
|
4.25
|
4.34
|
10.39
|
表五
WT-1000b 拋光鈍化液包圍
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5(中心)
|
頭
|
12.07
|
11.17
|
13.03
|
13.95
|
12.27
|
尾
|
11.84
|
10.32
|
14.21
|
15.78
|
|
表六
WT-1000b 洗凈拋光鈍化片
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5(中心)
|
頭
|
4.68
|
5.3
|
4.75
|
4.95
|
8.91
|
尾
|
10.68
|
4.7
|
4.23
|
4.56
|
10.62
|
六、討論
㈠用同一根單晶棒在同一測試面同一測試點上做對比測試,我公司LT-100C數字式硅單晶少子壽命測試儀直接在硅單晶棒切割面上測出少子壽命值,比匈牙利SemilabWT-1000b用2mm厚的拋光硅片在碘酒中鈍化測出少子壽命值高出2-5μs?赡芄杵瑨伖獗砻嬉鸭扳g化過程中影響造成,這說明用廣州市昆德科技有限公司LT-100C數字式少子壽命儀直接測試硅單晶棒切割面是可以得到同樣結果?梢愿咏袛鄦尉僮芋w壽命值高低的,是可以作為太陽能級單晶生產廠家和供購直接檢驗儀器。
㈡ 我公司生產的LT-100C數字式少子壽命儀,直接在單晶棒切割面測試,這就省去切片、拋光、鈍化等步驟,大大節省人力和時間,同時各供購雙方方便檢驗。
㈢ 我公司生產的LT-100C數字式少子壽命儀,直接測單晶硅棒切割面,不需要做鈍化測試,大大節約了硅材料。以Φ150mm直徑來計算,每片2mm厚硅片重量約82g,一根單晶頭尾各切一片那么就要浪費164g單晶。特別是單晶少子壽命屬于常規檢驗項目,必須爐爐測試。作為供需雙方產品抽驗和復檢,鈍化測試更是不方便和浪費。
|