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上海華巖儀器設備有限公司供應JKG-2A型光刻機
本機是制造中、大規模集成電路，傳感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻設備。
主要技術參數：
1、適用的掩模尺寸： （1）100*100*2-3mm （2）75*75*2-3mm （3）63*63*2-3（選購）
2、適用的硅片尺寸： ф35-ф75mm
3、光刻圖形線條: 3~4чm，最細可達2чm
4、掩模與硅片之間的相對位移范圍： X/Y±2.5mm，（旋轉）±6°
5、承片臺（硅片）繞主軸旋轉： 粗調360度，可微調
6、承片工作臺綜合移動范圍： X,Y合成ф75mm
7、承片臺的球座平面至掩模板面升降： 0-7.5mm
8、曝光燈源：GCQ200W超高壓汞燈，曝光波長： 300-436nm
9、曝光系統能量不低于： 7mw
10、曝光系統的照度均勻度在φ75mm范圍內： ±5%
11、顯微鏡的照明波長： ≈545nm
12、曝光時間控制范圍： 0.1秒~99分
13、雙目顯微鏡的放大倍數： （1）目鏡共二種：10X,16X （2）平視場物鏡共三種：6X,9X,15X （3）合成放大倍率：60X-240X
14、真空接觸壓力： ≥0.7kgf
15、裝箱尺寸： 1000*850*980mm（2只）
16、裝箱重量： 200kg
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上海華巖儀器設備有限公司供應JKG-2B型雙面光刻機
產品型號 JKG-2B型 雙面光刻機
本機是專為生產中、大規模集成電路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而設計制造的。它可以將兩塊掩模上的各種圖案經紫外光束的曝光，從上下兩面分別或同時轉印至硅片或其它基片的正反面上，再經其它工序的處理，從而獲得完整的微電子器件。
本機為適應各電子器件廠對JKG-2A型光刻機的使用習慣，故保留了JKG-2A型光刻機部分操作程序，尤其是為了提高光刻的質量，本機的結構、精度以及性能等方面作了大幅度的改進。為減少使用者的疲勞，顯微鏡采用雙目觀察和平視場物鏡，成像清晰，景深較長。由于本機具有上述種種特點，是成批生產微電子器件較為適合的光刻設備。
主要技術參數：
1、適用的掩模尺寸： 100*100*2~3mm或75*75*2~3mm
2、適用的基片幅面尺寸： ф50或ф75mm
3、曝光分辨率： 3~4чm
4、掩模與硅片之間的相對位移范圍： X、Y各≥±2.5mm； θ（旋轉）≥±5°
5、工作臺綜合移動范圍： X±37.5mm、Y±20mm
6、曝光系統： GCQ200W超高壓球形汞燈，曝光波長：300~436nm
7、曝光系統能量不低于： 波長407nm； 7mW/cm2
8、曝光系統的照明不均勻性在ф75mm范圍內 ±5%
9、顯微鏡的照明波長 ≈545nm
10、曝光時間控制范圍： 0.01秒~99.99分
11、雙目顯微鏡的調焦范圍： 13mm
12、雙目顯微鏡的放大倍率： a.成對目鏡，共兩種：10*、16*； b.平視場物鏡，共兩種：6*、9*；
c.總合成放大倍率：60*~144*
13、真空接觸壓力： ≥0.7kgf
14、供電電源： a.頻率：50HZ（Z頻）；b.額定輸入電壓：190V~230V；c.功率消耗：≤300VA
15、外形尺寸： 800*1440*650mm
16、重量： ≈80kg
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上海華巖儀器設備有限公司供應JKG-3型高精度光刻機
產品型號 JKG-3型高精度光刻機
本機是制造中、大規模集成電路，傳感器，表面波元件，磁泡，微波和CCD等器件的重要光刻設備。
主要技術參數：
1、適用的掩模尺寸： a、150*150*2.3mm（選購） b、125*125*2.3mm c、100*100*2.3（選購）
2、適用的硅片尺寸： a、ф125mm（選購） b、ф100mm c、ф75mm（選購）
3、曝光分辨率 2чm
4、掩模與硅片之間的相對位移范圍： X、Y±5mm，θ±5°
5、掩模旋轉范圍： ±5°
6、承片臺的球座平面至掩模板面微調范圍 0~1mm
7、曝光燈源： 200W超高壓直流汞燈
8、曝光譜線： 436、405、365（nm）
9、曝光系統能量不低于 18mw/cm2
10、曝光系統的照度均勻度： ф110mm范圍內±3%；ф136mm范圍內±5%
11、顯微鏡的照明波長： ≈545nm
12、曝光時間控制范圍： 0~99.99S
13、雙目分離視場顯微鏡的放大倍數
（1）目鏡共二種：10X,15X （2）平視場物鏡共三種：4X,10X,16X （3）合成放大倍率：40X-240X
14、分離視場調節范圍 30~80mm
15、真空接觸壓力： ≤-0.06Mpa
16、供電電源 AC220V±10% 50HZ
17、環境溫度： 22±2°C
18、相對溫度： ≤60%
19、凈化等級： 100級
20、外形尺寸： W960*D1000*H1400mm
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上海華巖儀器設備有限公司供應KD-1型大面積曝光機
產品型號 KD-1型大面積曝光機
本機適用于液晶、特種器件、特種電路、傳感器及制版、曬版、印刷電路板、標牌和在金屬薄片上制作精密圖形等。
主要技術參數：
1、基片尺寸（mm）： ≤200*200，厚度（mm）：≤5
2、基片材料： 硅片、玻璃、陶瓷、鈮酸鋰、覆箔板、鋁板、銅板和不銹鋼板等
3、掩模材料： 玻璃、滌綸片
4、曝光幅面（mm）： 200*200
5、曝光譜線（nm）： 365、405
6、曝光均勻性： ≤±10%
7、曝光方法： （a）真空接觸曝光；（b）接觸曝光
8、曝光分辨率（mm）： ≤0.01
9、曝光時間（s）： 0.1~99.9
10、外界要求： 真空源≤-0.08Mpa。電源220V±10%
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