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KDB-1A雜質(zhì)濃度測(cè)試儀
1、概述
原理：根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系，可直接測(cè)量、計(jì)算出晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度。
用途：根據(jù)測(cè)量沿錠長(zhǎng)雜質(zhì)濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分，通過(guò)雜質(zhì)濃度的直接測(cè)量，決定晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的摻雜數(shù)量。
樣品可在常溫或低溫下測(cè)量。
顯示方式：儀器連接PC機(jī)，通過(guò)專(zhuān)用測(cè)試軟件計(jì)算，用對(duì)數(shù)坐標(biāo)的方式來(lái)顯示雜質(zhì)濃度（含次方數(shù)）沿錠長(zhǎng)的分布曲線，可對(duì)曲線圖進(jìn)行打印和保存。
2、主機(jī)技術(shù)參數(shù)
（1）測(cè)量范圍：
可測(cè)晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm
（2）恒流源：
輸出電流：DC0.001-100mA五檔連續(xù)可調(diào)
量程：0.001-0.01mA（1-10μA）
0.01-0.1mA（10-100μA）
0.1-1.0mA
1.0-10mA
10-100mA
恒流精度：各檔均優(yōu)于±0.05%
（3）直流數(shù)字電壓表：
測(cè)量范圍：0-199.99mV
靈敏度：10μA
基本誤差：±（0.004%讀數(shù)±0.01%滿度）
輸入阻抗：≥0.3%
（4）電阻測(cè)量誤差：≤0.3%
（5）供電電源：AC220V±10%50/60Hz，功率：12W
（6）使用環(huán)境：
溫度：23±2℃相對(duì)溫度：≤65%
無(wú)較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾，無(wú)強(qiáng)光直接照射。
（7）重量、體積：
主機(jī)重量：6.5kg
體積：420（含前把手）×360×150（含底腳）（單位：mm長(zhǎng)度×寬度×高度）