上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SDY 4型四探針測(cè)試儀
編號(hào) |
品名 |
說明 |
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142122 |
SDY-4型四探針測(cè)試儀 |
SDY-4型四探針測(cè)試儀主機(jī)、J-2B型測(cè)試臺(tái)、裝配9B或9D探頭 |
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142124 |
SDY-4型四探針測(cè)試儀主機(jī)、J-2B型測(cè)試臺(tái)、專用710-E型數(shù)據(jù)處理器(含微型打印機(jī))、裝配9B或9D探頭 |
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142126 |
SDY-4型四探針測(cè)試儀主機(jī)、DJ-2型電動(dòng)測(cè)試臺(tái)、裝配9D探頭 |
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142128 |
TZT-9B型四探針探頭 |
探針間距1mm針距,針尖材料:碳化鎢;針尖曲率半徑:40±5μm;探針壓力:12至16牛頓(總壓力,此范圍內(nèi)可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度2+0.5mm;針尖錐體夾角60度;針間絕緣電阻:大于109Ω
TZT-9B型四探針探頭采用環(huán)氧精澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.同時(shí)使用復(fù)合材料作探針,從而提高探針頭的使用壽命.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠,使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。它的所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定。TZT-9B型四探針探頭的壓力為:12至16牛頓,它適用于測(cè)棒狀單晶縱向電阻率和截面電阻率,適用于測(cè)片狀單晶(其厚度≥1mm)的電阻率.用于測(cè)棒、厚片
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TZT-9D型四探針探頭 |
探針間距1mm針距,針尖材料:碳化鎢鋨合金;針尖曲率半徑:40±5μm;探針壓力:5至8牛頓(總壓力,此范圍內(nèi)可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度2+0.5mm;針尖錐體夾角60度;針間絕緣電阻:大于109Ω
TZT-9D型四探針探頭采用環(huán)氧精澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.同時(shí)適用復(fù)合材料作探針,從而提高探針頭的使用壽命.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠,使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。它的所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定。用于測(cè)薄片
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J-2B型手動(dòng)測(cè)試臺(tái)(樣品直徑100mm) |
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DJ-2型電動(dòng)測(cè)試臺(tái)(樣品直徑150mm) |
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SDY-4C型二探針測(cè)試儀 |
SDY-4C型二探針測(cè)試儀主機(jī)、J-41型二探針測(cè)試臺(tái);專用710-C型數(shù)據(jù)處理器(含微型打印機(jī))、裝配9I型探頭 |
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TZT-9A型四探針探頭 |
探針間距:1±0.01mm;探針鋼材:高速鋼;探針壓力:12牛頓至16牛頓(總壓力,可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度:2+0.5mm針尖錐體夾角:60度;針間絕緣電阻:大于109Ω
TZT-9A型四探針探頭采用環(huán)氧精密澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠等特點(diǎn)。其所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)A S T M標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定,用于測(cè)棒、厚片
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TZT-9C型四探針探頭 |
探針間距:1±0.01mm;探針鋼材:高速鋼;探針壓力:5牛頓至8牛頓(總壓力,此范圍內(nèi)可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度:2+0.5mm針尖錐體夾角:60度;針間絕緣電阻:大于109Ω
TZT-9C型四探針探頭采用環(huán)氧精密澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠等特點(diǎn)。其所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)A S T M標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定,用于測(cè)薄片
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142142 |
TZT-9G型四探針探頭 |
探針間距:1,59±0.015mm;探針鋼材:高速鋼;探針壓力:5牛頓至8牛頓(總壓力,此范圍內(nèi)可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度:2+0.5mm針尖錐體夾角:60度;針間絕緣電阻:大于109Ω
TZT-9G型仲裁四探針探頭是根據(jù)美國(guó)ASMT標(biāo)準(zhǔn)中F84推薦使用的探針頭而生產(chǎn)的.采用環(huán)氧精密澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠等特點(diǎn)。其所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)A S T M標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定,用于測(cè)薄片
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TZT-9H型二探針頭(4.76mm針距) |
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TZT-9I型二探針頭(10mm針距) |
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J-51型手動(dòng)測(cè)試臺(tái)(樣品臺(tái)直徑200mm) |
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J-41型二探針測(cè)試臺(tái)(有效長(zhǎng)度700mm) |
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SDY-4型四探針測(cè)試儀是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試專用儀器.
儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,采用平面輕觸式開關(guān)控制,及各種工作狀態(tài)LED指示.應(yīng)用微計(jì)算機(jī)技術(shù),利用HQ-710E型測(cè)量數(shù)據(jù)處理器,使得測(cè)量讀數(shù)更加直觀、快速,并能實(shí)現(xiàn)晶片厚度自行修正,打印出全部預(yù)置和測(cè)量、計(jì)算數(shù)據(jù)。整套儀器體積小、功耗低、測(cè)量精度高、測(cè)試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。
SDY4四探針測(cè)試儀 本儀器可滿足半導(dǎo)體材料、器件的研究生產(chǎn)單位對(duì)材料(棒材、片材)電阻率及擴(kuò)散層、離子注入層、異型外延層和導(dǎo)電薄膜方塊電阻測(cè)量的需要。
技術(shù)指標(biāo)
1 測(cè)量范圍: 電阻率:0.001-200Ω.cm(可擴(kuò)展);
方塊電阻:0.01-2000Ω/口(可擴(kuò)展);
2 可測(cè)晶片直徑(最大):100mm(配J-2B型手動(dòng)測(cè)試臺(tái))
200mm(配J-51型手動(dòng)測(cè)試臺(tái))
3 恒流源:電流量程分為0.1、1、10、100(mA)四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào).誤差<±0.3%
4 數(shù)字電壓表:
量程:0-199.99mV; 分辨率:10μV
顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、小數(shù)點(diǎn)、超量程自動(dòng)顯示。
輸入阻抗>1000MΩ; 精度:±0.1%.
5 最大電阻測(cè)量誤差(按JJG508-87進(jìn)行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.
6 四探針探頭:
間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻≥1000MΩ;機(jī)械游移率:≤0.3%
探針壓力:TZT-9A/9B: 12-16牛頓(總力) TZT-9C/9D 5-8 牛頓(總力)
7 整機(jī)不確定度:(用硅標(biāo)樣片測(cè)試)≤5% (0.01-180Ω.cm)
8 外形尺寸:電氣主機(jī):360mm×320mm×100mm;數(shù)據(jù)處理器:300mm×210mm×105mm 。上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SDY4型四探針測(cè)試儀
9 數(shù)據(jù)處理器功能:
A 鍵盤控制測(cè)量取數(shù),自動(dòng)進(jìn)行電流換向,并進(jìn)行正反向電流下的電阻率(或方塊電阻)測(cè)量,顯示出平均值.測(cè)薄片時(shí),可自動(dòng)進(jìn)行厚度修正;
B 鍵盤控制數(shù)據(jù)處理,運(yùn)算電阻率平均值和電阻率值最大百分變化及平均百分變化;
C 鍵盤控制打印全部測(cè)量數(shù)據(jù).測(cè)量條件、最大電阻率值、最小電阻率值、電阻率最大百分變化及平均百分變化。 上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SDY4型四探針測(cè)試儀。
10 儀器重量:電氣主機(jī):約4kg;測(cè)試臺(tái):約10kg,數(shù)據(jù)處理器:約2.5kg
11 測(cè)試環(huán)境:溫度23±2℃;相對(duì)濕度≤65%;無高頻干擾;無強(qiáng)光照射。
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