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SDY4型四探針測(cè)試儀SDY-4
SDY4型四探針測(cè)試儀SDY-4
產(chǎn)品名稱: SDY4型四探針測(cè)試儀SDY-4
產(chǎn)品型號(hào): SDY-4型四探針測(cè)試儀
產(chǎn)品產(chǎn)地:
產(chǎn)品特點(diǎn): 上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SDY4型四探針測(cè)試儀
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5524 SDY4型四探針測(cè)試儀SDY-4 0
SDY4型四探針測(cè)試儀SDY-4 詳細(xì)信息

上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SDY 4型四探針測(cè)試儀

編號(hào) 品名 說明  
142122 SDY-4型四探針測(cè)試儀 SDY-4型四探針測(cè)試儀主機(jī)、J-2B型測(cè)試臺(tái)、裝配9B或9D探頭  
142124 SDY-4型四探針測(cè)試儀主機(jī)、J-2B型測(cè)試臺(tái)、專用710-E型數(shù)據(jù)處理器(含微型打印機(jī))、裝配9B或9D探頭  
142126 SDY-4型四探針測(cè)試儀主機(jī)、DJ-2型電動(dòng)測(cè)試臺(tái)、裝配9D探頭  
142128 TZT-9B型四探針探頭

探針間距1mm針距,針尖材料:碳化鎢;針尖曲率半徑:40±5μm;探針壓力:12至16牛頓(總壓力,此范圍內(nèi)可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度2+0.5mm;針尖錐體夾角60度;針間絕緣電阻:大于109Ω

TZT-9B型四探針探頭采用環(huán)氧精澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.同時(shí)使用復(fù)合材料作探針,從而提高探針頭的使用壽命.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠,使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。它的所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定。TZT-9B型四探針探頭的壓力為:12至16牛頓,它適用于測(cè)棒狀單晶縱向電阻率和截面電阻率,適用于測(cè)片狀單晶(其厚度≥1mm)的電阻率.用于測(cè)棒、厚片

 
142130 TZT-9D型四探針探頭

探針間距1mm針距,針尖材料:碳化鎢鋨合金;針尖曲率半徑:40±5μm;探針壓力:5至8牛頓(總壓力,此范圍內(nèi)可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度2+0.5mm;針尖錐體夾角60度;針間絕緣電阻:大于109Ω

TZT-9D型四探針探頭采用環(huán)氧精澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.同時(shí)適用復(fù)合材料作探針,從而提高探針頭的使用壽命.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠,使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。它的所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定。用于測(cè)薄片

 
142132 J-2B型手動(dòng)測(cè)試臺(tái)(樣品直徑100mm)  
142134 DJ-2型電動(dòng)測(cè)試臺(tái)(樣品直徑150mm)  
142136 SDY-4C型二探針測(cè)試儀 SDY-4C型二探針測(cè)試儀主機(jī)、J-41型二探針測(cè)試臺(tái);專用710-C型數(shù)據(jù)處理器(含微型打印機(jī))、裝配9I型探頭  
142138 TZT-9A型四探針探頭

探針間距:1±0.01mm;探針鋼材:高速鋼;探針壓力:12牛頓至16牛頓(總壓力,可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度:2+0.5mm針尖錐體夾角:60度;針間絕緣電阻:大于109Ω

TZT-9A型四探針探頭采用環(huán)氧精密澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠等特點(diǎn)。其所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)A S T M標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定,用于測(cè)棒、厚片

 
142140 TZT-9C型四探針探頭

探針間距:1±0.01mm;探針鋼材:高速鋼;探針壓力:5牛頓至8牛頓(總壓力,此范圍內(nèi)可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度:2+0.5mm針尖錐體夾角:60度;針間絕緣電阻:大于109Ω

TZT-9C型四探針探頭采用環(huán)氧精密澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠等特點(diǎn)。其所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)A S T M標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定,用于測(cè)薄片

 
142142 TZT-9G型四探針探頭

探針間距:1,59±0.015mm;探針鋼材:高速鋼;探針壓力:5牛頓至8牛頓(總壓力,此范圍內(nèi)可調(diào));探針機(jī)械游移率:小于0.3%;探針伸出長(zhǎng)度:2+0.5mm針尖錐體夾角:60度;針間絕緣電阻:大于109Ω

TZT-9G型仲裁四探針探頭是根據(jù)美國(guó)ASMT標(biāo)準(zhǔn)中F84推薦使用的探針頭而生產(chǎn)的.采用環(huán)氧精密澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠等特點(diǎn)。其所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)符合美國(guó)A S T M標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定,用于測(cè)薄片

 
142144 TZT-9H型二探針頭(4.76mm針距)  
142146 TZT-9I型二探針頭(10mm針距)  
142148 J-51型手動(dòng)測(cè)試臺(tái)(樣品臺(tái)直徑200mm)  
142150 J-41型二探針測(cè)試臺(tái)(有效長(zhǎng)度700mm)  

SDY-4型四探針測(cè)試儀是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試專用儀器.
   儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,采用平面輕觸式開關(guān)控制,及各種工作狀態(tài)LED指示.應(yīng)用微計(jì)算機(jī)技術(shù),利用HQ-710E型測(cè)量數(shù)據(jù)處理器,使得測(cè)量讀數(shù)更加直觀、快速,并能實(shí)現(xiàn)晶片厚度自行修正,打印出全部預(yù)置和測(cè)量、計(jì)算數(shù)據(jù)。整套儀器體積小、功耗低、測(cè)量精度高、測(cè)試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。
   SDY4四探針測(cè)試儀 本儀器可滿足半導(dǎo)體材料、器件的研究生產(chǎn)單位對(duì)材料(棒材、片材)電阻率及擴(kuò)散層、離子注入層、異型外延層和導(dǎo)電薄膜方塊電阻測(cè)量的需要。
技術(shù)指標(biāo)
1  測(cè)量范圍: 電阻率:0.001-200Ω.cm(可擴(kuò)展);
             方塊電阻:0.01-2000Ω/口(可擴(kuò)展);
2  可測(cè)晶片直徑(最大):100mm(配J-2B型手動(dòng)測(cè)試臺(tái))
                      200mm(配J-51型手動(dòng)測(cè)試臺(tái))
3   恒流源:電流量程分為0.1、1、10、100(mA)四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào).誤差<±0.3%
4  數(shù)字電壓表:
   量程:0-199.99mV;       分辨率:10μV
   顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、小數(shù)點(diǎn)、超量程自動(dòng)顯示。
   輸入阻抗>1000MΩ;       精度:±0.1%.
5  最大電阻測(cè)量誤差(按JJG508-87進(jìn)行):0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.
6  四探針探頭:
   間距:1±0.01mm;針間絕緣電阻≥1000MΩ;機(jī)械游移率:≤0.3%
   探針壓力:TZT-9A/9B:  12-16牛頓(總力)    TZT-9C/9D  5-8 牛頓(總力)
7  整機(jī)不確定度:(用硅標(biāo)樣片測(cè)試)≤5%  (0.01-180Ω.cm)
8  外形尺寸:電氣主機(jī):360mm×320mm×100mm;數(shù)據(jù)處理器:300mm×210mm×105mm 。上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SDY4型四探針測(cè)試儀
9  數(shù)據(jù)處理器功能:
   A  鍵盤控制測(cè)量取數(shù),自動(dòng)進(jìn)行電流換向,并進(jìn)行正反向電流下的電阻率(或方塊電阻)測(cè)量,顯示出平均值.測(cè)薄片時(shí),可自動(dòng)進(jìn)行厚度修正;
   B  鍵盤控制數(shù)據(jù)處理,運(yùn)算電阻率平均值和電阻率值最大百分變化及平均百分變化;
   C  鍵盤控制打印全部測(cè)量數(shù)據(jù).測(cè)量條件、最大電阻率值、最小電阻率值、電阻率最大百分變化及平均百分變化。 上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)SDY4型四探針測(cè)試儀。
10   儀器重量:電氣主機(jī):約4kg;測(cè)試臺(tái):約10kg,數(shù)據(jù)處理器:約2.5kg
11   測(cè)試環(huán)境:溫度23±2℃;相對(duì)濕度≤65%;無高頻干擾;無強(qiáng)光照射。

SDY4型四探針測(cè)試儀SDY-4 同類產(chǎn)品
四探針頭/紅寶石探針頭/電動(dòng)測(cè)試架/手動(dòng)測(cè)試架/軟件     碳纖維電阻率測(cè)試裝置測(cè)試儀     QJ36C電線電纜導(dǎo)體電阻材料電阻率智能測(cè)試儀QJ-36C     SH-ST2248 ST-2248A型數(shù)字式多功能四探針測(cè)試儀、SZ-82數(shù)字式四探針測(cè)試儀 電阻率     ST-11型導(dǎo)電類型鑒定儀、SH-ST251 SH-ST251A數(shù)字式方阻測(cè)試儀     SX-1934(原SZ82)數(shù)字式四探針測(cè)試儀SX1934(原SZ-82)SX1944     KV-SP-HY210實(shí)驗(yàn)室用高精度手動(dòng)絲印臺(tái)KV-SP-HY220     KV-FPB-SP02四探針直流低電阻測(cè)試儀     FP-001四探針直流低電阻測(cè)試儀     KV-EC-7300電致變色器件循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)     RTS-11型金屬四探針測(cè)試儀 半自動(dòng)四探針測(cè)試儀     WCT-100型硅單晶壽命測(cè)試儀、DSY-II型單晶少子壽命測(cè)試儀DSY-2     STY-3導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀STY-1、NCT-1無接觸型號(hào)測(cè)試儀     KDB-2A鋁箔直流電阻測(cè)試儀、KDB-2B金屬薄膜方塊電阻測(cè)試儀方阻     KDA-1智能四探針電阻率/方阻測(cè)試儀方塊電阻測(cè)試儀     KDY-4四探針電阻率/方阻測(cè)試儀方塊電阻測(cè)試儀     KDY-1A便攜式電阻率/方阻測(cè)試儀 KDY-1M手持式方塊電阻測(cè)試儀     KDB-1涂層電阻率/方塊電阻測(cè)試儀(廣量程) KDB-3雙組合四探針方阻/電阻率測(cè)試儀     KDB-1A雜質(zhì)濃度測(cè)試儀(測(cè)量計(jì)算出晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度)     KDM-100A半絕緣半導(dǎo)體電阻率分布測(cè)繪儀、KDM-1000半絕緣半導(dǎo)體電阻率分布測(cè)繪儀     KDY-20兩探針電阻率測(cè)試儀KDY-2二探針電阻率測(cè)試儀方阻測(cè)試儀     XX2型方塊電阻測(cè)試儀XX-2     SDY5型雙電測(cè)四探針測(cè)試儀SDY-5     SDY4型四探針測(cè)試儀(配DJ1測(cè)試臺(tái))     DLY-2導(dǎo)電類鑒別儀 DSY-2單晶少子壽命測(cè)試儀DSY-II、FJDY-1非接觸硅片電阻率測(cè)試儀     TD-C鍍層電阻測(cè)量?jī)xTDC方塊電阻/薄膜電阻     SX-1903型PN類別鑒定儀SX1903數(shù)字式四探針測(cè)試計(jì)     SX-1934B型數(shù)字式四探針測(cè)試計(jì)SX1934B     ST20/ST21/SRM232型方塊電阻測(cè)試儀ST-20/ST-21H/SRM-232、探針探頭     LT-2單晶少子壽命測(cè)試儀LT-3高頻光電導(dǎo)壽命測(cè)試儀     Metal Comdux 2010多功能導(dǎo)電率測(cè)試器Comdux-2010導(dǎo)電率測(cè)試儀     SX-1944數(shù)字式四探針測(cè)試儀SX1944四探針測(cè)試計(jì)SX1934 SZ82     SX-1934C型數(shù)字式四探針測(cè)試計(jì)SX1934C四探針測(cè)試儀     KDY-I四探針電阻率方塊電阻測(cè)試儀KDY-1四探針電阻率/方阻測(cè)試儀(低阻型)     STY-2導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀STY2導(dǎo)電型號(hào)測(cè)量?jī)x、STY-2R型全類型整流法導(dǎo)電型號(hào)測(cè)試儀STY2R     LT-1 LT-1B高頻光電導(dǎo)少子壽命測(cè)試儀LT-1C LT-100C數(shù)字硅晶體少子壽命測(cè)試儀     FQR-7501 FQR-7502型渦流導(dǎo)電儀FQR7501 FQR7502     FZ-2006 FZ-2010型半導(dǎo)體粉末電阻率測(cè)試儀FZ-2006A FZ2010     STZ-8型半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)PN鑒別儀STZ8     BD-86A型半導(dǎo)體電阻率測(cè)試儀BD86A     SZT-2000型數(shù)字式四探針測(cè)試儀SZT2000     GL-1型二探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀GL1兩探針單晶硅及多晶硅測(cè)試儀     DB-4電線電纜半導(dǎo)電橡塑電阻測(cè)試儀DB4 DB-4A電阻儀     BT-900A型電纜半導(dǎo)電屏蔽層電阻測(cè)試儀BT900A     EWC-2型電線電纜金屬導(dǎo)體電阻率測(cè)試裝置EWC2     ST-1型數(shù)字式電線電纜導(dǎo)線電阻測(cè)試儀ST1     ST-2型數(shù)字式電線電纜導(dǎo)線電阻測(cè)試儀ST2     GD-9102型半導(dǎo)電電阻測(cè)試儀GD9102     SYZ-90礦用電纜過渡電阻測(cè)試儀SYZ90     FZ-9601粉末電阻率測(cè)試儀FZ9601     FZ-2000型粉末電阻率測(cè)試儀FZ2000     TA-901型多功能炭素材料電阻率測(cè)試儀TA901     TA-902型炭素材料電阻率測(cè)試儀TA902     TA-903型炭素電極接頭電阻率測(cè)試儀TA903     TA-904型電炭制品電阻率測(cè)試儀TA904     ST-102A/102B/S-2A/2B/2C/J-2B/J-52/DJ-Ⅱ手動(dòng)電動(dòng)探針測(cè)試臺(tái)探針臺(tái)     RTS-8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀RTS8半自動(dòng)四探針電阻率測(cè)試儀     RTS-9型數(shù)字雙電測(cè)四探針測(cè)試儀RTS9四探針方塊電阻電阻率測(cè)定儀     RTS4型數(shù)字式四探針測(cè)試儀RTS-4、RT-70/RG5四探針測(cè)試儀     RTS5型數(shù)字雙電測(cè)四探針測(cè)試儀RTS-5半自動(dòng)四探針測(cè)試儀     RTS2 RTS2A RTS3型便攜式四探針測(cè)試儀RTS-2 RTS-2A RTS-3     RTS-7二探針測(cè)試儀RTS7兩探針電阻測(cè)試儀、FT系列四探針探頭/軟件     PN12/PN12A、PN30型導(dǎo)電類型鑒別儀PN-12/PN-12A、PN-30     CV2000型電容電壓特性測(cè)試儀CV-2000 CV-5000、HLY-2型直流恒流源     SZT-1型數(shù)字式四探針測(cè)試儀 SZT-2A SZT-2四探針測(cè)試儀     SZT-5硅材料復(fù)合測(cè)試儀 SZT-4簡(jiǎn)易四探針測(cè)試儀 SZT-3半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀STZ-3     GM-I、GM-II電阻率自動(dòng)測(cè)定儀GM-III型便攜式大規(guī)格炭-石墨制品電阻率自動(dòng)測(cè)定儀     GM-2、GM-II型智能材料試驗(yàn)機(jī)    
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