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上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀 
       RTS-2/RTS-2A  型四探針測試儀（便攜式）  
      測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的便攜式設(shè)計 
 體積僅為：125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深) 
  RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
    儀器采用了最新電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。
    本儀器廣泛應(yīng)用于太陽能單晶（多晶）生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測試，半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。

四探針測試儀前面板	帶把手四探針探頭

  技術(shù)指標(biāo)           便攜式四探針測試儀按測量范圍可選配RTS-2型或RTS-2A型，區(qū)別：測量范圍不一樣。

RTS-2測量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；    方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
RTS-2A測量范圍	電阻率：0.001～199.99Ω.cm；    方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；
RTS-2恒流源	電流量程分為100μA、1mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
RTS-2A恒流源	電流量程分為1mA、10mA兩檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　  分辨力：10μV；  輸入阻抗：>1000MΩ；  精度：±0.1% ；  顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)	間距：1±0.01mm；  針間絕緣電阻：≥1000MΩ；  機械游移率：≤0.3%；  探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；  探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差 ( 按JJG508-87進行)	1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機測量最大相對誤差	(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
外型尺寸	125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃；  相對濕度：≤65%；  無高頻干擾；  無強光直射；

		品名	RTS-2型四探針測試儀  RTS-2A型四探針測試儀		價格	按選配置
		特點/規(guī)格	*.根據(jù)單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國   A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計的專用于測量硅晶塊、晶片電   阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡   膠等材料方塊電阻的小型儀器； *.體積僅為：125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)； *.RTS-2測量范圍-電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；                 方塊電阻：0.1～19999Ω/□； *.RTS-2A測量范圍-電阻率：0.001～199.99Ω.cm；                 方塊電阻：0.01～1999.9Ω/□；
配置	四探針測試儀主機、FT-202型四探針探頭
配置	四探針測試儀主機、FT-202型四探針探頭、S-2B型測試臺

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上海華巖儀器設(shè)備有限公司供應(yīng)RTS-3型手持式四探針測試儀  
   RTS-3  型四探針測試儀（手持式）
 測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計； 
 體積僅為：185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高)； 重量：350g； 
 使用鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時；  
         RTS-3型手持式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，專用于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
    儀器采用了最新電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。如有需要可加配測試臺使用。
    本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。  
 
技術(shù)指標(biāo)：

測量范圍	電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；    方塊電阻：0.1～19999Ω/□；
恒流源	電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表	量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV；    輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%；    顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)	間距：1±0.01mm；  針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機械游移率：≤0.3%；  探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)	(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差 ( 按JJG508-87進行)	1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字
整機測量最大相對誤差	(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度	≤5%
外型尺寸	185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高)
重量	350g
電源	鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時；
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境	溫度：23±2℃； 相對濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強光直射；

		品名	RTS-3型四探針測試儀	價格	按選配置
		特點/規(guī)格	*.根據(jù)單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國   A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計的專用于測量硅晶塊、晶片電   阻率及擴散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡   膠等材料方塊電阻的手持式儀器； *.體積僅為：185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高)； *.測量范圍 - 電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；               方塊電阻：0.1～19999Ω/□； *.鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時；
配置	四探針測試儀主機、四探針探頭