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上海華巖儀器設備有限公司供應STY-2導電型號測試儀
產品說明 
本臺儀器運用了第四代集成電路設計、生產。儀器用熱電法測量硅單晶型號，配置了可自動恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發顯示N、P型。
使用方法：
1、插好背板上的電源線，并與～220V插座相接；將熱筆、冷筆與面板上4芯、3芯插座相接。
2、打開儀器面板左下角的電源開關，電源指示燈及熱筆加熱燈亮。10分鐘左右熱筆達到工作溫度時，保溫（綠）燈亮，即可進行型號測量。熱探筆隨后自動進入保溫→加熱→保溫→…循環，溫度保持在40-60℃（國標及國際標準規定的溫度）。
3、先將熱筆在被測單晶面上放穩，后將冷筆點壓在單晶上，液晶顯示器即顯示型號（N或P）。
4、測量電阻率較高的單晶時，請將N型調零電位器P型調零電位器調近臨界點（逆時針旋轉），以便提高儀器的測量靈敏度。
5、在P型、N型顯示不穩定時，以多次能重復的測量結果為準。
6、測量時握筆的手不要與被測單晶接觸，以免人體感應影響測量結果。
6、測量范圍小于1000Ω.cm。上海華巖儀器設備有限公司供應STY-2導電型號測試儀。
典型用戶
清華大學 重慶大學 江蘇順大半導體有限公司
北京大學 黑龍江大學 天津中環半導體股份有限公司
上海交大 蘭州大學 金華美晶硅電子有限公司
華東理工大學 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 中國振華集團
大連理工大學 無錫尚德太陽能電力有限公司 中電四十六所
成都電子科大 寧波太陽能電源有限公司 大連化工物理所
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上海華巖儀器設備有限公司最新推出STY-2R型全類型整流法導電型號測試儀
STY-2R型導電型號測試儀是嚴格按照國際標準SEMI MF42-1105及國家標準GB/T1550中的全類型整流法設計生產。 由于將三根測試探針做成測量探頭，每根探針均有獨立伸縮和加壓機構，因此樣品上無需制備電極。
探針與半導體材料上產生的整流電勢差經低噪聲、低飄移集成運算放大器放大后，用液晶顯示器件直接指示型號。
技術指標如下： 可準確判別硅材料導電型號的電阻率范圍：0.05-1000Ω·cm。
1. 實際可測量硅材料電阻率范圍：10-2～104Ω·cm。
2. 可測線度大于5mm的任意形狀的硅塊和硅片，樣品長度、直徑不受限制。
3. 顯示方式：由顯示N和P字樣的液晶器件直觀指示半導體材料型號。
4. 探針采用耐磨的碳化鎢硬質合金，直徑0.8mm，每根針有獨立的加壓機構，壓力可在50～500克（單針）范圍內根據用戶需要進行調整。
5. 外型尺寸：210×100×230（寬×高×深，單位mm）。
6. 重量：約3kg。
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上海華巖儀器設備有限公司供應STY-1導電型號測試儀
產品簡介
STY—1型導電型號測試儀是嚴格按照ASTM F42（非本征半導體材料導電類型的標準測試方法）中的熱探針法設計的導電類型鑒別儀。
本儀器熱探筆內裝有加熱和控溫組件，自動加熱并使溫度維持在40-60℃范圍內，冷熱探筆在半導體材料上產生的熱電動勢，經低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后，用寬表面檢流計指示型號方向，并可定量測出熱電流的數值大小。儀器靈敏度可調，可在廣泛的電阻率（從1000Ω·cm高阻單晶到10-4Ω·cm重摻單晶）范圍內判別半導體材料型號。
二、技術性能
1、可判別鍺、硅材料的電阻率范圍：
鍺：非本征鍺～10-4Ω·cm
硅：104～10-4Ω·cm
實驗證明：在室溫情況下，對于電阻率低于1000Ω·cm的N型和P型硅，本方法結果可靠。
2、熱電流測量范圍：0～±1μA 分六個量程：
±3nA、±10nA、±30nA、±100nA、±300nA、±1μA
最大偏轉靈敏度：1×10-11A/格
3、鍺、硅單晶直徑及長度：不受限制。
4、顯示方式：中心刻度為零位的寬表面指針指示器，指針向正方向偏轉被測樣品為P型，指針向負方向偏轉被測樣品為N型。
5、探針：選用ASTM F42標準中建議的不銹鋼作探針材料，針尖為60°錐體，熱筆溫度自動保持在40-60℃范圍內。冷筆與室溫相同。
6、電源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供電，耗電小于10W。
7、外型尺寸：170×160×230（mm）
8、重量：約2.5kg
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上海華巖儀器設備有限公司供應STY-3導電型號測試儀
產品簡介
STY—3型導電型號測試儀是嚴格按照國標GB/T1550-1997和ASTM F42（非本征半導體村料導電類型的標準測試方法）中的熱探針及整流導電類型測試方法設計的導電類型鑒別儀。
本儀器熱探筆內裝有加熱和控溫組件，自動加熱并使溫度維持在50‑60℃范圍內，冷熱探筆在半導體材料上產生的熱電動勢及整流法產生的電勢差經低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后，用液晶顯示器件（LCD）及檢流計指示型號方向。儀器靈敏度分高、低兩檔，可判別大部分非本征半導體材料型號（從高阻單晶到重摻單晶）。
二、技術性能
1、可判別鍺、硅著料的電阻率范圍：
鍺：非本征鍺103～10‑4Ω·cm
硅：10+4～10-4Ω·cm
經國內外實驗證明：在室溫情況下，熱電法對于電阻率低于1000Ω·cm的硅單晶整流法結果可靠。
2、鍺、硅單晶直徑及長度：不受限制
3、顯示方式：由顯示N和P的液晶器件直接指示，同時中心刻度為零位檢流計也在指示型號，指針向左偏轉被測樣品為N型，指針向右偏轉被測樣品為P型。
5、探針：先用ASTM F42標準中建議的不銹鋼作冷熱探針材料，針尖為60℃錐體，熱筆溫度自動保持在50‑60℃范圍內，冷筆與室溫相同。整流法行選用硬質合金作探針。
6、電源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供電，最大功耗（熱筆加熱狀態）小于40W，平均功耗≈10W。
7、外型尺寸：370×320×110（mm）
8、重量：約 4 kg
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